单晶硅表面电化学方法制备定向硅纳米线阵列的研究

编号：NMJS03443

篇名：单晶硅表面电化学方法制备定向硅纳米线阵列的研究

作者：张大蔚； 李夕金；

关键词：硅； 硅纳米线； 电化学； 催化剂；

机构： 河南大学物理与电子学院；

摘要： 采用电化学方法在近室温条件下快速制备硅纳米线阵列.实验选用HF-AgNO3混合溶液,在单晶硅表面沉积生长一层薄的金属银的催化剂薄膜.然后在HF-Fe(NO3)3混合溶液中,利用银为催化剂,在硅片表面发生氧化还原反应,通过选择性腐蚀,制备出大面积硅纳米线阵列;利用扫描电镜分析了制备温度、时间及AgNO3的浓度对催化剂形状、大小的影响,并进一步分析了其对纳米线的定向特征、长度及填充率的影响.在本实验条件下,银催化剂的颗粒直径影响纳米线的生长,过大或过小的催化剂都不利于纳米线的制备.同时,纳米线的长度随着刻蚀生长时间的延长而增加.