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无溶剂SiO_2纳米流体的制备及其导电性能研究
本文中首先以SiO2纳米粒子为核,通过脱水反应在SiO2纳米粒子表面接枝3-硅羟基-1-丙基磺酸(SIT),再通过一元弱碱解离反应,以离子键接枝反离子聚氧乙烯十八烷基胺(Eth-omeen18/25),所形成的有机/无机杂化
2012年09月05日更新
AAO模板法制备金属Ni纳米管
化学沉积法不但可以制备金属的纳米线而且通过控制反应条件,还可以合成中空的管状结构。以多孔阳极氧化铝为模板,通过化学沉积制备金属纳米管的有效方法是通过5步操作来实现的,即除去铝基底及其阻挡层、孔壁修饰、抛光处理、敏化—活化及化
2012年09月05日更新
溅射纳米晶Ni20Cr涂层的高温氧化行为
利用溅射法在Ni20Cr合金表面制备相同成分的纳米晶涂层,研究了该合金与纳米晶涂层在空气中1000℃的恒温氧化和抗循环氧化行为。结果表明,纳米晶涂层恒温氧化时生成单层连续氧化膜,氧化产物以Cr2O3为主,有少量的NiCr2O
2012年09月05日更新
Cu纳米线的制备及其力学性能的研究
采用购买的直径为40～50 nm的AAO模板,利用直流电沉积方法在AAO模板上制备了Cu纳米线。TEM观察发现,Cu纳米线的直径为(45±5)nm,与AAO模板的内孔直径一致。利用碳膜卷曲的方法,在JEOL 2010F型场发
2012年09月05日更新
纳米氮化硅含量对碳氮化钛基金属陶瓷组织和性能的影响
在氩气环境下采用微波烧结技术制备了纳米Si3N4增强Ti(C,N)基金属陶瓷,考察了纳米Si3N4含量对材料力学性能的影响,利用SEM(BSE)观察了其显微组织。研究表明:纳米氮化硅对Ti(C,N)基金属陶瓷具有明显的强化作
2012年09月05日更新
羰基、羧基和羟基表面官能团对碳纳米管电容量的影响(英文)
分别采用混酸、空气、硝酸和高锰酸钾对碳纳米管进行氧化处理,以在其表面引入官能团,进而研究了表面官能团对碳纳米管电化学性能的影响。X-射线光电子谱分析表明:混酸氧化处理引入的官能团主要为羰基和羧基;空气氧化使碳纳米管表面链接较
2012年09月05日更新
纳米Fe_3O_4包覆结构及其磁流体稳定性
采用化学共沉淀法制备纳米Fe3O4粉体,通过机械球磨的方法研究阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸纳(SDBS)的用量对纳米Fe3O4的包覆结构及其磁流体分散效果的影响。对制得的样品经过XRD,HRTEM,FT-IR和XPS等进行
2012年09月05日更新
枝状ZnO-TiO_2复合纳米棒阵列的制备及表征
采用化学水浴沉积法,在预制晶种层的基底上得到垂直底面生长的有序ZnO纳米棒阵列,再用反应磁控溅射方法,沉积制备ZnO-TiO2复合结构的纳米棒阵列。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备得到的样品进行结构和
2012年09月05日更新
铟掺杂ZnGa_2O_4纳米线中的结构缺陷分析(英文)
用热蒸发的方法合成了铟掺杂的ZnGa2O4纳米线。利用透射电镜和X射线能谱对样品的结构和成分进行了研究。在"之"字形和竹节形两种形貌的纳米线中分别发现了孪晶和面位错两种缺陷。"之"字形生长的纳米折线是孪晶,沿<11-1>方向
2012年09月05日更新
柔性衬底上三氧化钼正方形纳米片的低温制备及生长机制
采用热蒸发方法,以红外烧结炉为制备仪器,在聚酰亚胺柔性衬底上制备正方形纳米片.通过扫描电子显微镜、X-射线衍射谱表征产物的形貌、尺寸、成分及物相,并对纳米片的形成机理进行了探讨分析.研究表明,此纳米片为三氧化钼(MoO3)的
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