中科院物理所微加工实验室与日本物质材料研究机构合作，近日采用化学气相沉积法获得了N型的氮化硼半导体纳米管。

    氮化硼作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，氮化硼纳米管通常表现出稳定一致的电学特性，有着非常诱人的应用前景。而实现氮化硼纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料大规模应用的关键。

    对氮化硼纳米管结构进行的系统表征证明，这是一种稳定的掺杂结构。他们发现F掺杂实现了氮化硼纳米管从绝缘体向半导体的转变，低于5%的F掺杂浓度使氮化硼纳米管的电导提高3个数量级以上。这一结果为采用该材料制作纳电子器件的研究奠定了基础。