美国科学家即将公布一种制造纳米硅结构的全新方法。这种被称为受控错位蚀刻（CED）的新方法，在一块硅表面可产生一系列由柱状突起构成的元件。它们的宽度只有25纳米，是商用微处理器最小元件的1 ／6，将使研究人员有望研制出生物传感器和发光硅显示器等装置。专家认为，这种新蚀刻方法使生产小到10纳米的硅结构成为可能。以CED 为基础的方法，有可能在6英寸宽的整个硅片表面制造微小结构。这种制造纳米结构的新方法用途还很广泛，有可能打开在生物尺度上生产的大门；用CED还可以生产出发光的硅装置；可以把磁性材料放在纳米突起上，制造高密度数据存储介质。