上海技物所博士后李天信提出的“In(Ga)As/GaAS量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”日前获得2003年上海市纳米专项基金资助。据悉，李天信提出将近年来发展很快的纳米表征技术——扫描探针显微术引入到半导体表面量子点的局部电特性测量领域；并利用合适的离子注入实现对量子点的物性调控以获得材料光电性能的提高，为新型的光电子器件提供性能优化的实验基础。