台湾地区工研院宣布，继去年制造出Ｐ型和Ｎ型纳米碳管场效晶体管后，电子所和化工所合作，最近又开发成功单层纳米碳管定位成长技术，可在4至8英寸硅芯片基板上制作，具备与集成电路整合的潜力。

    据悉，现有纳米碳管场效晶体管制作技术大多采用涂布方式，长成的纳米碳管为随机分布，位置无法准确控制。新技术具金属性或半导体性，可以用于制造高效能金属连接线和纳米碳管晶体管阵列。