BN纳米带几何结构和电子性质第一性原理研究

编号：NMJS03150

篇名：BN纳米带几何结构和电子性质第一性原理研究

作者：安博；

关键词：BN纳米带； 几何结构； 电子性质； 第一性原理；

机构： 渭南师范学院物理与电子工程学院；

摘要： 采用第一性原理研究了不同带宽下BN纳米带的几何结构与电子性质。研究结果表明:随着带宽的增大,BN纳米带边缘发生形变,键角增大,B-B键键长增大。当带宽约为1.7 nm时,B-B键发生断裂。电子性质研究表明:随带宽减小,最高占据轨道(HOMO)/最低非占据轨道(LUMO)能隙减小。对电子态密度(DOS)及赝能隙分析表明:BN纳米带带宽越小,在费米能级处DOS越大,且赝能隙越小。这和GNR比较相似,说明BN纳米带越窄电子越容易从价带向导带跃迁。