010-82930964 
编号：NMJS02611
篇名：ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜
作者：胡娟； 吴爱民； 岳红云； 张学宇； 秦福文； 闻立时；
关键词：ECR-PECVD； 太阳能电池； 薄膜； 纳米硅；
机构： 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室； 大连理工大学材料科学与工程学院； 中国科学院沈阳金属研究所；
摘要： 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5~8 nm;当H2流量在20~40 mL/min变化时,随着流量的增加,薄膜晶化相增多,纳米硅尺寸在5~10 nm,但H2流量超过30 mL/min后,随着H2流量的增加,薄膜晶化率下降,纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法,可明显改善薄膜晶化效果,经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀,颗粒大小在6 nm左右.
