嵌入式碳纳米管石墨电极测定灯盏花素的研究

编号：NMJS02532

篇名：嵌入式碳纳米管石墨电极测定灯盏花素的研究

作者：李乔丽； 杨敏； 高云涛； 放茂良； 刘琼； 李东东；

关键词：嵌入式修饰电极； 多壁碳纳米管； 灯盏花素； 循环伏安法； 微分脉冲伏安法；

机构： 云南民族大学化学与生物技术学院国家民族事务委员会-教育部共建民族药资源化学重点实验室；

摘要： 制备嵌入式多壁碳纳米管修饰石墨电极,利用循环伏安法(CV)研究灯盏花素在嵌入式多壁碳纳米管修饰石墨电极(ESCFE)上的电化学氧化行为,结果表明,灯盏花素在修饰电极上出现一对明显的准可逆氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.17 V和Epc=0.05 V(△E=0.12 V),峰电流分别为ipa=42.79μA,ipc=40.15μA(ipa/ipc=1.06)。用差分脉冲伏安法(DPV)进行定量分析,在4.0×10-7~1.8×10-5g/L范围内,其浓度与氧化峰电流呈线性关系:ipa=2.4097c×10-6-0.2845(r=0.9994),检出限为2.4×10-7g/L(3S),测定灯盏花片中灯盏花素含量,结果也较满意,实验也表明,ESCFE修饰电极精密度和重复性优于碳纳米管修饰玻碳电极(MWNT/GCE),其峰电流值比MWNT/GCE提高了15倍。