SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性

编号：NMJS02179

篇名：SiO_2层上沉积的纳米多晶硅薄膜及其特性

作者：赵晓锋； 温殿忠； 王天琦； 丁玉洁；

关键词：纳米多晶硅薄膜； 低压化学气相沉积(LPCVD)； 迁移率；

机构： 黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室； 黑龙江大学集成电路重点实验室；

摘要： 采用低压化学气相沉积(LPCVD)系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度为620℃,沉积薄膜厚度分别为30 nm、63 nm和98 nm.对不同薄膜厚度的纳米多晶硅薄膜分别在700℃、800℃和900℃下进行高温真空退火.通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对SiO2层上沉积的纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征,随着薄膜厚度的增加,沉积态薄膜结晶显著增强,择优取向为<111>晶向.通过HP4145B型半导体参数分析仪对沉积态掺硼纳米多晶硅薄膜电阻I-V特性测试发现,随着薄膜厚度的增加,薄膜电阻率减小,载流子迁移率增大.