化学气相沉积法制备Sn2S3一维纳米结构阵列

编号：FTJS02361

篇名：化学气相沉积法制备Sn2S3一维纳米结构阵列

作者：彭跃华； 周海青； 刘湘衡； 何熊武； 赵丁； 海阔； 周伟昌； 袁华军； 唐东升；

关键词：一维纳米结构； 阵列； 化学气相沉积法； 三硫化二锡； 气-固生长机理；

机构： 湖南师范大学低维量子结构与调控教育部重点实验室物理与信息科学学院；

摘要： 运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.