SiO_2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计

编号：NMJS01361

篇名：SiO_2纳米柱阵列太阳电池减反射层设计

作者：汪礼胜; 沈杨超; 陈凤翔; 王嘉赋;

关键词：SiO2纳米柱阵列; 太阳电池; 严格耦合波理论; 减反射; 加权平均反射率;

机构： 武汉理工大学理学院;

摘要： 采用严格耦合波理论和增强透射矩阵方法,对SiO2纳米柱阵列太阳电池减反射层进行了优化设计。设计的纳米柱阵列结构在300~1 200 nm波长范围内,可实现在太阳光0°~60°的入射范围内平均加权反射率接近1%。通过与以太阳光30°入射优化设计的新型纳米SiO2单层和SiO2/TiO2双层减反射膜相比,发现优化设计的SiO2纳米柱阵列减反射层结构在宽波段、宽入射角度范围内能更有效地减少光反射,从而提高太阳电池的转换效率、降低生产成本。