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氧化铋纳米线的制备及场发射性能研究

编号:NMJS01340

篇名:氧化铋纳米线的制备及场发射性能研究

作者:林金阳; 张永爱; 王灵婕; 郭太良;

关键词:氧化铋; 纳米线; 场发射; 开启电场;

机构: 福州大学光电显示技术研究所; 福建工程学院电子电气系;

摘要: 以NaOH和Bi(NO3)3.5H2O为原料,以庚烷、油酸和丙酮为分散剂,在室温下,制备氧化铋纳米线材料。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)分析产物结构和形貌,分析可知该氧化铋纳米线直径约50nm,长度几微米至几十微米之间。通过丝网印刷,制备氧化铋纳米线阵列,并进行场发射性能测试,结果表明,当电流密度0.1μA/cm2时,开启电场2.6V/μm,良好的场发射性能说明氧化铋纳米线在场发射平板显示及真空电子器件方面具有较好的应用潜力。


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