TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱

编号：NMJS01212

篇名：TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱

作者：杨仍才; 田勇; 张伟斌; 杜宇;

关键词：高能物理学; TATB基PBX; 压制; 纳米孔隙; 正电子湮没寿命谱;

机构： 中国工程物理研究院化工材料研究所;

摘要： 为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药(PB X)微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱(PALS)技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示:压制密度越大,PBX中纳米孔隙浓度越小,平均尺寸越大,这表明压制过程中,PBX界面孔隙不断减小,TATB晶体内部孔隙却不断增大。