化学气相沉积法制备ZnO纳米结构材料及其表征

编号：NMJS01102

篇名：化学气相沉积法制备ZnO纳米结构材料及其表征

作者：王杰;

关键词：ZnO; 纳米结构材料; 化学气相沉积法; 光致发光;

机构： 山东师范大学;

摘要： 由于半导体氧化物在光学、光电、催化、压电等领域独特而新颖的应用,其合成和应用引起了人们的极大关注。ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,在制造电子和发光器件上有巨大潜力。而纳米ZnO则表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学、化学等性质。2001年王中林教授发现半导体氧化物纳米带后,基于氧化物的一维纳米材料成了纳米材料新的研究热点。目前,研究人员对ZnO纳米结构的制备和生长机理的研究有很多,已经采用了各种不同技术制备了各种形貌的ZnO纳米结构,如纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等。 我们研究小组采用化学气相沉积法成功制备出多种ZnO的纳米结构,通过改变实验温度、恒温时间、所用催化剂的浓度等因素,找出了各种纳米结构的最佳生长条件。本文在综述目前ZnO纳米材料的基本性质、制备方法、掺杂以及应用的基础上,阐述了各种纳米结构的制备方法,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量散射X射线(EDX)谱、选区电子衍射谱(SAED)和光致发光(PL)光谱等测试手段详细分析了最佳生长条件下...