CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究

编号：NMJS00886

篇名：CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究

作者：吴敏; 张世超; 林若虚;

关键词：电沉积; CdTe; 纳米线; 纳米管; 镍箔;

机构： 北京航空航天大学材料科学与工程学院;

摘要： 使用电沉积方法,在碱性体系中Ni箔表面制得直径约为100 nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜,并系统研究了电位、镀液浓度及热处理对于该材料微观形貌的影响。XRD结果证明,未经退火处理的薄膜由CdTe相和单质Cd相组成,经300℃N2气氛保护条件下退火4 h后得到的薄膜仅含CdTe相,并有效提高结晶度。SEM结果显示薄膜的微观形貌为纳米线结构,TEM结果进一步证明CdTe纳米线内部为中空结构,形成纳米线/纳米管结构。另外,电沉积实验结果表明,沉积电位对于CdTe纳米线/纳米管结构的形成具有决定作用,表现为阴极电位越正越有利于纳米线结构的形成。