退火对纳米VO_2薄膜结构及电性能的影响

编号：NMJS00884

篇名：退火对纳米VO_2薄膜结构及电性能的影响

作者：杜明军; 吴志明; 罗振飞; 许向东; 王涛; 蒋亚东;

关键词：磁控溅射; VO2; 相变; 电学性能;

机构： 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

摘要： 采用直流反应磁控溅射法在K9玻璃和KBr衬底上制备了VO2薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)对薄膜的形貌、晶相和分子结构等进行分析。结果表明,在氧气气氛下退火后,薄膜颗粒变得清晰可见,平均尺寸约25 nm,薄膜由非晶态结构转变为晶态的VO2,且在(011)方向出现明显择优取向生长。利用四探针对薄膜电阻温度特性的测试结果显示,薄膜经过O2气氛退火10 min后具有显著的电阻突变特征,24℃时的激活能为0.24 eV。实验结果表明,退火改变了薄膜的结构形貌,进而对薄膜的电学性能产生影响,选择合适的退火条件可以获得性能优良的VO2薄膜。