Sr/Si(100)表面TiSi_2纳米岛的扫描隧道显微镜研究

编号：NMJS00833

篇名： Sr/Si(100)表面TiSi_2纳米岛的扫描隧道显微镜研究

作者：杨景景; 杜文汉;

关键词：TiSi2纳米岛; Sr/Si(100)表面; 扫描隧道显微镜;

机构： 常州工学院物理实验中心; 中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室;

摘要： 为了解半导体衬底与氧化物之间存在的相互作用,以及量子尺寸效应对不同再构体的影响,制备了1—2个原子层厚的TiSi2/Si(100)纳米岛,并使用扫描隧道显微镜(STM)表征手段详细地研究了TiSi2/Si(100)纳米岛的电子和几何特性.结果发现:这些纳米岛表面显示出明显的金属性;其空态STM图像具有典型的偏压依赖性:在高偏压下STM图像由三聚物形成的单胞构成,并在低偏压下STM图像显示为密堆积的图案,这些不同的图案反映出不同能量位的态密度有明显差异.