聚吡咯/凹凸棒石纳米导电复合材料的制备和表征

编号：NMJS00798

篇名：聚吡咯/凹凸棒石纳米导电复合材料的制备和表征

作者：李恒; 姚超; 吴凤芹; 丁永红; 李峰; 徐斌海;

关键词：聚吡咯; 凹凸棒石; 纳米复合材料; 体积电阻率;

机构： 常州大学石油化工学院; 江苏省凹土工程技术研究中心; 江苏河海纳米科技股份有限公司;

摘要： 通过正交实验确定了聚吡咯/凹凸棒石(PPy/ATP)纳米导电复合材料的最佳制备工艺条件。结果表明:当吡咯(Py)用量为m(Py):m(ATP)=0.32,过硫酸铵(APS)与Py的摩尔比为1.1,十二烷基磺酸钠(DSNa)与Py的摩尔比为0.27,15℃下反应2h得到的复合材料体积电阻率可达26Ω·cm。通过热重-热差分析、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)、TEM对纳米复合材料进行表征。测试表明:聚吡咯/凹凸棒石纳米复合材料的耐热性能与纯聚吡咯相比明显提高,聚吡咯以非晶态形式包覆在凹凸棒石单晶的表面,它们之间没有新键生成,存在的是物理作用。