基于WS2纳米片和聚乙烯咔唑纳米复合材料的忆阻器的阻变行为

编号：CYYJ043558

篇名：基于WS2纳米片和聚乙烯咔唑纳米复合材料的忆阻器的阻变行为

作者：邹鹏飞 曹青 阳芳 熊礼苗 袁旭东

关键词： 忆阻器 WS2纳米片 阻变行为 聚乙烯咔唑(PVK) 聚合物纳米复合材料

机构： 合肥工业大学机械工程学院 合肥通用机械研究院压缩机技术国家重点实验室

摘要： 文章介绍基于单层WS2纳米片和聚乙烯咔唑(PVK)纳米材料的Ag/WS2-PVK/Cu忆阻器,并研究PVK质量分数对忆阻器I-V特性的影响。Ag/WS2-PVK/Cu忆阻器表现为一次写入多次读取(write-once read-many-times, WORM)的阻变行为,随着PVK质量分数的增加,VSET逐渐增加,开关比略有增加然后减小。I-V双对数曲线证实了器件的开关机制是陷阱控制的空间电荷限制电流机制,并用能带图进行了解释,研究结果为过渡金属硫化物忆阻器开关性能的设计和优化提供了理论依据。