CVD法无催化直接生长α-In2Se3纳米材料

编号：NMJS08940

篇名：CVD法无催化直接生长α-In2Se3纳米材料

作者：苗瑞霞 杨奔 王业飞 李田甜

关键词： 硒化铟 纳米片 扫描电子显微镜 无催化反应 化学气相沉积 表面形貌

机构： 西安邮电大学电子工程学院

摘要： 在常压无催化条件下,采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,直接生长二维α-硒化铟(In2Se3)纳米片材料。研究了生长温度、生长时间和气体流量对In2Se3纳米片的微观形貌和尺寸的影响,采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪对In2Se3纳米材料的分布、形貌、结构进行了表征和分析。实验结果表明,CVD法直接生长的In2Se3纳米片为规则的六边形,分布较均匀,沿(006)晶面择优生长,具有2H-α相的晶体结构。最佳工艺参数为硒粉区域温度为430℃,氧化铟粉末区域温度为800℃,生长时间为45 min,H 2流量为45 sccm,Ar流量为15 sccm。