化学气相沉积法合成Si3N4纳米带的研究

编号：NMJS08927

篇名：化学气相沉积法合成Si3N4纳米带的研究

作者：李思婷 李增祎 傅煜然 刘丽 谭嘉林 赵文科 谭浩博 陈洋

关键词： Si3N4纳米带 催化 化学气相沉积法 显微结构

机构： 湖南工学院材料科学与工程学院

摘要： 以Si粉、酚醛树脂和硝酸铁为原料,采用化学气相沉积法在氮气气氛下合成Si3N4纳米带。研究了热处理温度和硝酸铁添加量对合成Si3N4纯度和形貌的影响。结果表明,在非催化作用下,热处理温度升高有利于提高Si3N4纯度;温度为1500℃时,合成高纯Si3N4,其中α-Si3N4和β-Si3N4生成量分别为91%和9%。添加催化剂显著影响Si3N4形貌,其形貌由直线形带状结构演变为蜷曲的带状结构,具有这种带状结构的Si3N4为α-Si3N4;当硝酸铁添加量为5%时,α-Si3N4生成量较高,为95%。