基于碳纳米薄膜/砷化镓范德华异质结的高性能自驱动光电探测器研究

编号：CYYJ02778

篇名：基于碳纳米薄膜/砷化镓范德华异质结的高性能自驱动光电探测器研究

作者：霍婷婷 张冬冬 施祥蕾 潘宇 孙利杰 苏言杰

关键词： 范德华异质结 单壁碳纳米管 砷化镓 自驱动光电探测器

机构： 上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系薄膜与微细技术教育部重点实验室 上海航天技术研究院 上海空间电源研究所空间电源技术国家重点实验室

摘要： 基于碳纳米材料/体半导体范德华(vdW)异质结的光电器件可以同时实现碳纳米材料的超高载流子迁移率以及体半导体的优异光电性能,且具有结构简单、工艺简便、易于调控界面等优点。尤其是通过调控单壁碳纳米管(SWCNT)的直径/手性、费米能级等可以与体半导体形成能带匹配、具有原子级界面的新型混合维度vdW异质结。本文报道了一种基于(6,5)手性为主的SWCNT薄膜与n型GaAs所形成的pn结的宽光谱自驱动光电探测器,并利用石墨烯降低SWCNT薄膜内载流子的复合几率和促进载流子传输。实验结果表明,器件对405~1064 nm波段光子表现出高灵敏的光电响应,零偏压条件下最大光电响应度和比探测率分别可达1.214 A/W和2×1012 Jones。