中空SiC球形纳米颗粒的合成及吸波性能

编号：CYYJ02673

篇名：中空SiC球形纳米颗粒的合成及吸波性能

作者：向忠宁 何秦川 王益群 任良贵

关键词： SiO2@C 高温热处理 中空SiC球形纳米颗粒 电磁波 最小反射损耗(RLmin)

机构： 成都理工大学材料与化学化工学院

摘要： 特殊结构和组成是决定电磁波吸收性能的关键因素。采用自组装技术合成碳包覆二氧化硅(SiO2@C)的球形纳米颗粒,经高温热处理后制备出中空SiC球形纳米颗粒。通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品进行微观形貌分析和物相分析,采用矢量网络分析仪对样品的电磁参数进行测试,借助SiC的介电损耗以及其特殊的微观结构对其吸波性能进行调控,并模拟计算不同涂层厚度下样品的反射损耗(RL)。结果表明,随着SiO2@C中碳含量的增加,经高温热处理后生成的SiC纳米颗粒由不规则的形状转变为中空球形纳米颗粒结构。在频率为14.06 GHz时,样品的最小反射损耗(RLmin)为-18.23 dB,有效吸收频带(RL≤-10 dB)达到了5.34 GHz,对应的涂层厚度为1.9 mm,体现出厚度薄、吸收频带宽的特点。