纳米硅通道内滑移现象的分子动力学模拟

编号：NMJS00367

篇名：纳米硅通道内滑移现象的分子动力学模拟

作者：顾骁坤; 陈民;

关键词：硅通道; 气体层; 滑移长度; 分子动力学模拟;

机构： 清华大学航天航空学院; 传热强化与过程节能教育部重点实验室;

摘要： 采用分子动力学方法研究了水在硅通道中的流动现象。通过模拟Couette剪切流动,得到了通道中流体的速度分布,同时考察了壁面吸附气体以及壁面具有纳米结构情况下的流动。模拟表明气体层以及微结构的存在可以改变硅表面的滑移性质,进而可以通过在壁面构造纳米结构以及在通道中充入气体来改变和控制纳米通道中的流体输运。