CO和CO_2分子在缺陷石墨纳米带上的吸附研究

编号：FTJS00890

篇名：CO和CO_2分子在缺陷石墨纳米带上的吸附研究

作者：彭盛霖; 欧阳方平;

关键词：石墨纳米带; 555-777双空位缺陷; 电子结构; 吸附;

机构：

摘要： 采用第一性原理密度泛函方法,研究了双空位缺陷石墨纳米带(GNRs)的几何和电子结构,并探讨了CO和CO_2分子在完整和缺陷带上的吸附行为。研究结果表明,(1)从能量上看,石墨纳米带中的555-777双空位缺陷比585双空位缺陷更趋稳定;(2)通过分析能带结构,发现555-777双空位缺陷的引入未对纳米带的电子结构造成很大的影响;(3)同完整纳米带比较,CO分子更易吸附在缺陷带上,而CO_2分子在完整和缺陷带上都无法吸附。因此,缺陷石墨纳米带有可能用来设计气体传感器。