在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线

编号：NMJS07056

篇名：在氧化铟锡导电玻璃上化学浴沉积ZnO纳米线

作者：杨文婷

关键词： ZNO纳米线 化学浴沉积法 长径比

机构： 广西建设职业技术学院

摘要： 以Zn(NO3)2·6H2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线,研究了种子层沉积温度(150,200℃)以及PEI浓度(0~9.0mmol·L-1)、生长时间(3~12h)和水浴温度(65~95℃)对ZnO纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明:在试验参数下均能成功制备得到ZnO纳米线;当种子层沉积温度为200℃,生长时间为9h,水浴温度为95℃,PEI浓度为4.5mmol·L-1时,ZnO纳米线呈规则六棱柱状生长,并垂直排列于衬底上,且长径比最大,达20.56。