Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应

编号：CPJS06296

篇名：Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应

作者：姜晓彤 鲁林芝 谢长生

关键词： 光响应度 ZNO Ni掺杂 纳米棒阵列膜

机构： 华中科技大学材料科学与工程学院

摘要： 研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试。研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小。掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍。Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大。