沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响

编号：CPJS06285

篇名：沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响

作者：方华 孟凡腾 张林森 闫继 张世超

关键词： 二氧化锰 电化学沉积法 纳米棒阵列 超级电容器

机构： 郑州轻工业大学材料与化学工程学院 北京航空航天大学大学材料科学与工程学院

摘要： 采用阳极电化学沉积法在镍片上沉积纳米多孔氧化锰膜。利用XRD和SEM对氧化锰膜进行物性分析,利用线性伏安扫描、循环伏安和恒流充放电法进行电化学电容性能测试。研究表明在0.5V(vs.SCE)沉积的氧化锰膜呈现出纳米多孔的纳米花形貌,当沉积电压增加时,氧化锰纳米片的颗粒的尺寸会变小,逐渐转变为由氧化锰纳米纤维构成的纳米多孔膜;所制备的氧化锰膜均为非晶相。电化学测试表明所制备的氧化锰膜电极具有较好的电容性能,其中在0.5V(vs.SCE)沉积的氧化锰膜比电容最高,在0.3mA/cm^2的充放电电流密度下高达189F/g,电流密度增加到10mA/cm^2时比电容为83F/g。