掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性

编号：CPJS06280

篇名：掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性

作者：马瑞 张华林

关键词： 石墨烯纳米带 菱形BN片 掺杂

机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性.掺杂使扶手椅型石墨烯纳米带(AGNRs)的带隙增大,不同位置掺杂AGNRs的带隙大小略有差异.在无磁性态,无论是否掺杂,锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)都为金属.在铁磁态,掺杂使ZGNRs由金属转变为半导体.而处于反铁磁态时,无论是否掺杂,ZGNRs都为半导体,掺杂使其带隙发生改变.掺杂的AGNRs和ZGNRs的结构稳定,掺杂ZGNRs的基态为反铁磁态.掺杂菱形BN片可以有效调控GNRs的电子特性.