CdTe对ZnO棒状纳米材料的电子调控研究

编号：NMJS06551

篇名：CdTe对ZnO棒状纳米材料的电子调控研究

作者：华佩[1] ;曾子彦[1] ;洪昕林[1,2]

关键词： ZNO CDTE 纳米材料 异质结 电子密度

机构： [1]武汉大学化学与分子科学学院,武汉420072; [2]武汉大学苏州研究院,苏州215123

摘要： 氧化锌（ZnO）纳米材料由于独特的光学、电学、磁学等性能具有广泛的应用前景,而半导体的掺杂则能有效地调控ZnO的电子结构。在ZnO棒状纳米材料的合成过程中掺杂适量的碲化镉（CdTe）成功地合成了核壳结构的CdTe/ZnO异质结,X射线粉末衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）都证明了CdTe的成功包裹,而这一成功包裹减少了CdTe中毒性Cd^2＋的暴露。同时,电子顺磁共振（EPR）、紫外可见漫反射（DRS）、荧光发光（FL）等一系列测试结果表明,与纯ZnO棒状纳米材料相比,CdTe的掺杂有效地调控了ZnO的电子结构使得ZnO棒状纳米材料的电子密度增大。