电化学沉积制备纳米晶Bi-Te薄膜及其表征

编号：NMJS06516

篇名：电化学沉积制备纳米晶Bi-Te薄膜及其表征

作者：曹一琦[1] ;黄小华[1] ;吴建波[1] ;林燕[1] ;郭仁青[1] ;张胜楠[2]

关键词： 电化学沉积 恒电流 薄膜 热电材料 BI2TE3 纳米棒

机构： [1]台州学院,浙江台州318000; [2]西北有色金属研究院,陕西西安710016

摘要： 采用恒电流电化学沉积工艺制备Bi-Te二元薄膜。随着沉积时间的变化,在同一个电极上依次出现了单相的Bi2Te3和Bi4Te3薄膜。其中,Bi2Te3薄膜是由规则的长度为100 nm左右,平均宽度为10 nm的纳米棒组成,其具有非常大的比表面积,非常有利于其作为热电材料的应用。而Bi4Te3薄膜是由纳米颗粒团聚而成的不规则多面体组成。研究证明通过改变沉积参数,有可能在Bi-Te二元系统的沉积过程中对生成物的相组成和形貌进行调控。