高长径比银纳米线合成过程中聚乙烯吡咯烷酮的影响机制研究

编号：NMJS06512

篇名：高长径比银纳米线合成过程中聚乙烯吡咯烷酮的影响机制研究

作者：王亚中[1] ;魏行远[1] ;于镇洋[2] ;蔡名一[1] ;秦文静[1]

关键词： 银纳米线 聚乙烯吡咯烷酮 电极

机构： [1]天津理工大学材料科学与工程学院,天津300384; [2]天津工业大学机械工程学院,天津300387

摘要： 利用乙二醇还原法合成银纳米线。研究了表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮的浓度、添加时间、滴加速度对产物形貌及银纳米线长径比的影响。结果表明,聚乙烯吡咯烷酮的添加细节影响了其对银纳米晶的包覆程度,从而影响了银纳米线的生成。优化实验参数为加入硝酸银14min后添加聚乙烯吡咯烷酮（浓度0.15mol/L,滴加速率15μL/s）。在此参数下可得到大量长径比200以上的银纳米线,以此银纳米线制备的电极,透光率达到70%以上,方块电阻为50.7Ω/cm2。