Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能

编号：CPJS05645

篇名：Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的制备和光电性能

作者：席金芳[1] ;鲁双伟[1] ;杨峰[1] ;蔡芳共[1] ;马文利[1] ;邹龙生[1] ;谢思思[1] ;张勇[1] ;阚香[1] ;程翠华[1,2] ;赵勇[1,2]

关键词： Sb2S3 TIO2纳米管阵列 异质结 表面光电压谱 相位谱 光电性能

机构： [1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031; [2]新南威尔士大学材料科学与工程学院,悉尼2052

摘要： 结合水热法和阳极氧化法合成了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构。暗态下的电流-电压曲线表明Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列具有整流效应。相比于纯的TiO2纳米管阵列,Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著的提升：在AM 1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07%增长到0.40%,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区。结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能。