Co3O4纳米片的制备及其电化学性能

编号：CPJS05548

篇名：Co3O4纳米片的制备及其电化学性能

作者：朱刚 ;李江涛 ;蔡科 ;杨晓慧

关键词： 四氧化三钴 纳米片 均相沉淀 煅烧 负极材料

机构： 西安文理学院化学工程学院,陕西省表面工程与再制造重点实验室,西安710065

摘要： 以六水合硝酸钴[Co（NO_3）_2·6H_2O]为钴源、六次甲基四胺[CH_2）_6N_4]为水解剂,采用均相沉淀法制得β-氢氧化钴[β-Co（OH）_2]。β-Co（OH）2前驱体在400℃经煅烧2h制得四氧化三钴（Co_3O_4）材料。用X-射线衍射和扫描电镜对前驱体和目标产物进行了表征。结果表明,所得Co_3O_4为二维片状。电化学测试结果显示,Co_3O_4负极材料具有高的比容量和良好的循环性能。在100mA/g的电流密度下,首次充电比容量达到827mAh/g。恒流充放电50次后,容量保持率为88.5%。