β-Ga2O3纳米线的制备及其催化性能

编号：CPJS05484

篇名：β-Ga2O3纳米线的制备及其催化性能

作者：郝宁华 ;安跃华 ;唐为华 ;王四海

关键词： β-Ga2O3纳米线 光催化氧化 降解率 亚甲基蓝

机构： 北京邮电大学理学院光电材料与器件实验室

摘要： 使用磁控溅射方法制备了β-Ga2O3纳米线,并研究了催化性能.制备的样品具有很好的结晶度,衍射峰位对应β相Ga2O3.β-Ga2O3纳米线形貌为圆锥状,表面粗糙.226nm左右有明显的Ga2O3吸收峰,同时在512nm左右也有明显的催化剂Au的吸收峰.称取0.35mg的β-Ga2O3纳米线样品,加入300mL浓度为10-5 mol/L的亚甲基蓝溶液中,反应2h,降解率达到76.7%.