Ti，Cu和Zn掺杂AlN纳米片电磁性质的第一性原理研究

编号：CPJS05480

篇名：Ti，Cu和Zn掺杂AlN纳米片电磁性质的第一性原理研究

作者：袁俊辉 ;高博 ;汪文 ;王嘉赋

关键词： AlN纳米片 电子结构 磁性 第一性原理

机构： 武汉理工大学理学院,武汉430070

摘要： 采用基于密度泛函理论（DFT）的全势线性缀加平面波法（FP—LAPW）研究了过渡金属Ti，Cu，Zn掺杂A1N纳米片的电子结构、磁性和稳定性．结果表明，Ti，Cu，Zn单掺杂均表现出半金属铁磁性，磁性主要是由于杂质原子的3d态与近邻N原子的2p态的轨道杂化．形成能的计算结果表明Ti掺杂A1N体系相对Cu和Zn掺杂结构更稳定．因此，相比于Cu和Zn，Ti掺杂AlN纳米片更适合用来制作稀磁半导体．