碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应

编号：CPJS05330

篇名：碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应

作者：夏继业[1] ;董国栋[1] ;田博元[1] ;严秋平[1] ;韩杰[2] ;邱松[2] ;李清文[2] ;梁学磊[1] ;彭练矛[1]

关键词：碳纳米管 薄膜晶体管 接触电阻 欧姆接触 肖特基势垒

机构： [1]北京大学信息科学技术学院纳米器件与物理化学教育部重点实验室,北京100871; [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123

摘要： 利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管（CNT-TFT）的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触,且Al接触比Ti接触的势垒更高,接触电阻也更大,相应器件的开态电流和迁移率都较低。该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能,这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用。