SiO2/Si衬底上Au纳米颗粒制备的研究

编号：NMJS06210

篇名：SiO2/Si衬底上Au纳米颗粒制备的研究

作者：许怡红[1] ;王尘[2] ;韩响[1] ;赖淑妹[1] ;陈松岩[1]

关键词：Au纳米颗粒 射频磁控溅射 快速热退火

机构： [1]厦门大学物理科学与技术学院,福建厦门361005; [2]厦门理工学院光电与通信工程学院,福建厦门361024

摘要： 采用射频磁控溅射结合快速热退火的方法在SiO2/Si衬底上制备Au纳米颗粒,研究了溅射条件、退火温度对Au纳米颗粒的尺寸及其分布的影响.结果表明,对于溅射后呈现分立且尺寸较小的Au纳米颗粒样品,其具有较好的热稳定性,而对于溅射后Au近似成膜的样品,Au颗粒随着退火温度的升高先减小后增大再减小,认为这是由于退火过程中存在着应力释放与表面能最小化2种竞争机制共同作用的结果;通过降低溅射功率,最终制备得到高密度（1.1×10^12 cm-2）、小尺寸（〈5nm）的Au纳米颗粒,并有望在金属纳米晶半导体存储器中得到应用.