碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响

编号：FTJS06686

篇名：碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响

作者：孙继伟[3] ;贾琨[1] ;贾爱珍[3] ;吕德涛[1] ;许晓丽[1] ;郭峰[1] ;赵亚丽[1,2]

关键词：碳纳米管 场发射 测试次数 阴阳极距离

机构： [1]电磁防护技术山西省重点实验室,山西太原030006; [2]山西大学化学与化工学院,山西太原030006; [3]中国电子科技集团第三十三研究所电磁防护与器件事业部,山西太原030006

摘要： 采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定性增加;阴阳极距离15μm时,碳纳米管具有最好的场发射性能。