多孔硅负载银纳米颗粒提高硅基MSM光电探测器性能的研究

编号：FTJS06670

篇名：多孔硅负载银纳米颗粒提高硅基MSM光电探测器性能的研究

作者：王继伟[1,2] ;陈海燕[1] ;李东栋[1] ;杨康[1] ;任伟[2] ;陈小源[1]

关键词：多孔硅 银纳米颗粒 光吸收率 局域表面等离子体共振 光电探测器 金属辅助刻蚀

机构： [1]中国科学院上海高等研究院薄膜光电工程技术研究中心,上海201210; [2]上海大学理学院物理系量子与分子结构国际中心,上海200444

摘要： 利用金属辅助刻蚀的方法在单晶硅片表面制备了多孔硅,结果表明多孔硅表面纳米结构的陷光作用在宽光谱范围内大幅提高了硅片的光吸收率。将银纳米颗粒负载到多孔硅表面,研究了其对硅基金属-半导体-金属型光电探测器（MSM-PDs）性能的影响。与基于硅片和多孔硅结构的MSM-PDs相比,基于多孔硅负载银纳米颗粒制备的MSM-PDs在420 nm入射光照射条件下的光暗电导比以及光响应度都有显著提高,这主要得益于表面纳米结构对暗电导的降低及光场中银纳米颗粒的LSPR效应对光电导的提升作用。