半导体型单壁碳纳米管中激子的一维扩散模型

编号：NMJS06085

篇名：半导体型单壁碳纳米管中激子的一维扩散模型

作者：郑岳新 ;方娇娇 ;杨珺琪 ;章益雄 ;章盛林 ;谢建平

关键词：碳纳米管 激子扩散 光致发光 扩散长度

机构： 湖州师范学院理学院,浙江湖州313000

摘要： 针对架桥生长的半导体型单壁碳纳米管中激子的扩散特性,建立激子的一维扩散模型,进而考察研究碳纳米管中激子的扩散及复合发光过程.通过求解激子的一维扩散方程,模拟在有限长度下的碳管中激子密度、发光强度随管长和激子扩散长度之间的变化关系.研究结果表明,激子的扩散长度对激子发光强度有着重要影响,较大的激子扩散长度容易导致激子的边界淬灭,降低发光强度和发光效率.研究结果不但有助于碳纳米管中激子的扩散长度的测量,而且有助于未来对基于碳管的单激子器件尺寸的设计研究.