纳米压印法制作亚波长结构PI减反射膜

编号：NMJS06079

篇名：纳米压印法制作亚波长结构PI减反射膜

作者：田丽[1] ;毛志强[1] ;吴敏[2] ;王蔚[1]

关键词：亚波长结构 减反射膜 纳米压印 聚酰亚胺 阳极氧化

机构： [1]哈尔滨工业大学航天学院,哈尔滨150001; [2]上海空间电源研究所,上海200245

摘要： 为提高柔性基底太阳能电池光电转化效率,减少表面反射损失,用Tracepro光学仿真软件模拟设计亚波长结构减反射膜尺寸参数,仿真结果表明亚波长结构薄膜在纳米柱高度72 nm,占空比为0.5,光栅周期在300~440 nm处,光通量增强效果最佳.采用纳米压印技术,以多孔结构阳极氧化铝为模板,制作聚酰亚胺基底减反射膜.采用扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计研究了阳极氧化技术所制作的Al2O3模板及其纳米压印技术等工艺参数对PI薄膜透过率的影响.测试结果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒压模式连续反应1 h条件下制备AAO模板,在280℃,800 kg压力条件下,热压印时间为10 min所得PI膜.在AM1.5大气质量条件下,UV-VIS透射光谱从440~1 000 nm区域,所制作的薄膜较原始PI膜的透过率提高2%~5%.