CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性

编号：CPJS05055

篇名：CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性

作者：邢正伟[1] ;沈鸿烈[1,2] ;李金泽[1] ;张三洋[1] ;杨家乐[1] ;姚函妤[1] ;李玉芳[1,2]

关键词：CDS 纳米颗粒 阳极氧化法 电泳法 自支撑多孔硅 光致发光

机构： [1]南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京210016; [2]常州大学江苏省光伏科学与工程协同创新中心,江苏常州213164

摘要： 为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明：自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为（210）;CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570nm转移到740nm;电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量,导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.