Bi2Te3／Sb超晶格纳米线的外延生长和热电测量

编号：CPJS04888

篇名：Bi2Te3／Sb超晶格纳米线的外延生长和热电测量

作者：李亮[1] ;许思超[1] ;李广海[1,2]

关键词：BI2TE3 超晶格纳米线 电沉积 热电 哈曼技术

机构： [1]中国科学院固体物理研究所,中国科学院材料物理重点实验室,安徽省纳米材料与技术重点实验室,合肥230031; [2]中国科学技术大学化学与材料科学学院,合肥230026

摘要： 通过脉冲电沉积，外延生长出小单元长度的Bi2Te3／Sb超晶格纳米线．借助哈曼方法，测量了超晶格纳米线阵列的热电性能，330K时的ZT值可达0．15．研究了Bi2Te3／Sb超晶格纳米线阵列器件的制冷或者加热能力，发现器件的上下表面的最大温差可以达N6．6K．