铜镀镍基底生长碳纳米管薄膜场发射特性研究

编号：CPJS04872

篇名：铜镀镍基底生长碳纳米管薄膜场发射特性研究

作者：霍海波 ;麻华丽 ;杨卫飞 ;陈雷明 ;丁佩 ;曾凡光

关键词：碳纳米管 铜镀镍 直流场发射

机构： 郑州航空工业管理学院

摘要： 采用化学镀的方法在铜基底上镀镍作为缓冲层,以酞菁铁（FePc）作为催化剂,采用CVD法在Cu/Ni基底上制备出了碳纳米管薄膜（Cu/Ni-CNTs）,利用扫描电镜（SEM）和拉曼光谱进行了表征。为了测试在Cu/Ni基底上生长碳纳米管薄膜的场发射特性,采用二极管结构,在真空度为2×10-4 Pa下进行直流场发射测试。结果表明Cu/Ni基底的碳纳米管薄膜具有优异的场发射特性,薄膜与阳极距离为9mm时开启场强为1.44V/μm,场发射测试数据符合Fowler-Nordheim（F-N）场发射特性曲线,在相同高压范围（020kV）进行多次重复测试,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性。