纳米硒的制备及其光电性能

编号：CPJS04825

篇名：纳米硒的制备及其光电性能

作者：王伟[1] ;黎燕[1] ;王苏宁[1] ;钟福新[1] ;朱义年[2] ;莫德清[3]

关键词：纳米硒 光电压 电沉积

机构： [1]桂林理工大学化学与生物学院,广西桂林541004; [2]桂林理工大学环境科学与工程学院,广西桂林541004; [3]桂林电子科技大学生命与环境科学学院,广西桂林541004

摘要： 以导电玻璃（ITO）为基底,采用电沉积法制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响。结果表明：在沉积电压1.7 V、沉积温度30℃、沉积时间7 min、硫脲用量为1 mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.868 4 V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度Eg=1.84 e V;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100 nm,长度为3-6μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的（120）、（200）和（211）晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向。