热处理对CuO纳米线生长的影响

编号：NMJS05806

篇名：热处理对CuO纳米线生长的影响

作者：谢立林[1] ;赵慧[1] ;张晓娜[1] ;汪友[1] ;张泽[2]

关键词：氧化铜纳米线 热氧化法 生长 扩散

机构： [1]北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124; [2]浙江大学电子显微镜中心,硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学院,浙江杭州310027

摘要： 本文通过热氧化法制备了CuO纳米线,利用X射线衍射和扫描电子显微镜,研究了温度和冷却方式对CuO纳米线生长的影响。600℃空冷样品只长出了少量CuO纳米线,600℃炉冷样品上观察到了大量CuO纳米线,400℃空冷样品上也生长了大量CuO纳米线,表明CuO纳米线的实际生长温度不高于400℃。温度比较高时,以CuO层的生长为主;在温度比较低时,以CuO纳米线的生长为主。这一结果可以通过铜离子在氧化层中的扩散过程来理解。