纳米氧化钨气敏传感器研究进展

编号：SBJS00596

篇名：纳米氧化钨气敏传感器研究进展

作者：杨帆[1] ;尹桂林[1,2] ;葛美英[2] ;何丹农[1,2]

关键词：纳米材料 氧化钨 气敏传感器

机构： [1]上海交通大学材料科学与工程学院,上海200240; [2]纳米技术及应用国家工程研究中心,上海200241

摘要： 在对各种有害气体检测的研究领域内,纳米半导体金属氧化物气敏传感器有着十分重要的地位。作为一种n型半导体金属氧化物,氧化钨因其独有的结构和性能特点,成为近年来气敏材料的研究重点和热点。本文简单介绍氧化钨系气敏材料的气敏响应机理,总结近年来改良和提高纳米氧化钨材料气敏性能的主要工艺和方向,最后指出其自身的不足及未来的研究发展方向。