纳米二氧化硅对HaCaT细胞中p53基因表达及其启动子甲基化的影响

编号：YYHY00282

篇名：纳米二氧化硅对HaCaT细胞中p53基因表达及其启动子甲基化的影响

作者：龚春梅[1] ;杨淋清[2] ;周继昌[1] ;朱玉梅[1] ;莫俊銮[1] ;徐远飞[1] ;刘小立[1] ;庄志雄[

关键词：纳米二氧化硅 p53 HaCaT细胞 DNA甲基化

机构： [1]深圳市慢性病防治中心分子生物室,广东深圳518020; [2]深圳市疾病预防控制中心,广东深圳518020;

摘要： 目的研究纳米二氧化硅（nm-SiO2）对人皮肤表皮细胞（HaCaT）中p53基因的表达及基因启动子区甲基化的影响。方法分别以2.5、5、10μg/ml的nm-SiO2溶液和10μg/ml的微米级SiO2（micro-SiO2）处理HaCaT24h;以3μmol/LDNA甲基化转移酶抑制剂5-脱氧杂氮胞苷（DAC）处理48h的10μg/mlnm-SiO2组为阳性对照,并设立溶剂对照组。应用荧光定量PCR检测p53基因mRNA水平的表达,Western-blot法检测其蛋白水平的变化,应用甲基化特异性PCR（MSP）检测p53基因启动子区CpG岛的甲基化状态。结果nm-SiO2作用24h后,HaCaT细胞中p53基因表达呈上调趋势并且p53启动子区未检测出甲基化状态。结论nm-SiO2暴露可以上调HaCaT细胞中p53基因的表达,尚未发现这种上调与p53基因启动子区CpG岛的甲基化水平改变有关。